日本napson緊湊易用手動非接觸電阻測量儀-
測量對象
半導體/太陽能電池材料相關(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導電薄膜相關(金屬,ITO等)
硅基外延離子與
半導體相關的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請聯(lián)系我們)
測量尺寸
?8英寸,或?156x156mm
測量范圍
[電阻率] 1 m至200Ω·cm
(*所有探頭類型的總量程/ 500 um的厚度)
[抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
(*所有探頭類型的總量程)
*每種探頭類型的測量范圍,請參見下文。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 )高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
產(chǎn)品名稱:EC-80P(便攜式)
測量對象
半導體/太陽能電池材料相關(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導電薄膜相關(金屬,ITO等)
硅基外延離子與
半導體相關的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請聯(lián)系我們)
測量尺寸
無論樣品的大小和形狀如何,都可以進行測量(但是,大于20mmφ且具有平坦的表面)
測量范圍
[電阻率] 1m至200Ω·cm
(*所有探頭類型的總量程/當厚度為500um時)
[抗熱阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總量程)
*每種探頭類型的測量范圍,請參見下文。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 )高:10-1000Ω/□(0.5-60Ω-cm)
(4)S-高:1000-3000Ω/□(60-200Ω-cm)
(5)太陽能晶片:5-500Ω /□(0。 2?15Ω-cm)
傳單
*單擊下面的按鈕下載此產(chǎn)品的傳單。
產(chǎn)品名稱:NC-10(NC-20)
測量對象
半導體/太陽能電池材料相關(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導電薄膜相關(金屬,ITO等)
硅基外延離子與
半導體相關的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請聯(lián)系我們)
測量尺寸
3至8英寸,?156 x 156毫米
(可選; 2英寸或12英寸,?210 x 210毫米)
測量范圍
[電阻率] 1m至200Ω·cm
(*所有探頭類型的總量程/當厚度為500um時)
[抗熱阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總量程)
*每種探頭類型的測量范圍,請參見下文。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 )高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
產(chǎn)品名稱:DUORES
易于攜帶和測量的手持式薄層電阻測量裝置:DUORES
可以根據(jù)測量目標交換和使用兩種類型的探頭(非破壞性/接觸式)
•世界上地衣臺可以更換和使用兩種類型的探頭(無損型,接觸型)的便捷型薄層電阻測量儀 •
只需放置/應用探頭即可自動進行測量
•電池連續(xù)工作時間:24小時(*電池使用時)
•顯示數(shù)據(jù)項數(shù):多100(*顯示醉心數(shù)據(jù))
•保存的大數(shù)據(jù)數(shù):50,000(*軟件顯示屏)
•測量數(shù)據(jù)傳輸功能:USB-Mini
•顯示:3個顯示單位(Ω/□,S /□,n / m [金屬膜厚度轉(zhuǎn)換]), 4位浮點數(shù)(0.000至9999)
*僅出售身體+非破壞性探針,僅出售身體+接觸探針。
測量對象
薄膜,玻璃,紙材料等
通常,可以在測量范圍內(nèi)測量任何樣品。
•薄膜材料(ITO,TCO等)
•低電子玻璃
•碳納米管,石墨烯材料
•金屬材料(納米線,網(wǎng)格,網(wǎng)格)
•其他
測量尺寸
無論尺寸和厚度如何,都可以進行
測量(*每個探頭的測量點尺寸或更多)
<測量點>
?無損探棒(渦流型):φ25mm
?接觸探針(4種探針):9mm
測量范圍
?無損探棒(渦流方式):0.5 -200Ω/ sq
?接觸式探棒(4探針方式):0.1 -4000Ω/ sq
傳單
*單擊下面的按鈕下載此產(chǎn)品的傳單。
商品名稱:PVE-80
非接觸式電阻測量系統(tǒng),采用脈沖電壓激勵方法作為測量原理,可在不損壞樣品的情況下進行測量
節(jié)省空間的車身外殼,便攜式可移動臺
通過PC(軟件)輕松進行測量操作和數(shù)據(jù)存儲/管理
測量顯示單元可以根據(jù)應用(薄層電阻,電導率,電導率)進行更改
*本產(chǎn)品使用本公司與千葉大學共同開發(fā)的測量方法:脈沖電壓激勵法(篆隸號5386394)。
測量對象
新材料/功能材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導電薄膜(金屬,ITO等)
復合半導體(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*聯(lián)系我們請給我)
測量尺寸
?A4尺寸(W300 x D210mm)
測量范圍
50μ?1mΩ/平方
傳單
*單擊下面的按鈕下載此產(chǎn)品的傳單。
日本napson緊湊易用手動非接觸電阻測量儀-
深圳市秋山貿(mào)易有限公司版權所有 地址:深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生社區(qū)新旺路和健云谷2棟B座1002