日本napson非接觸式薄層電阻多點測量器
測量目標
半導體/太陽能電池材料相關(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導電薄膜相關(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導體相關的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請與我們聯(lián)系)
測量尺寸
2-8英寸
(可選; 12英寸)
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω? cm
(*所有探頭類型的總量程/厚度500um)
[抗剪強度] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總量程)
*有關每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
商品名稱:CRN-100
測量目標
*通常,可以測量本設備測量范圍內的任何樣品。請聯(lián)系我們。
?超高電阻薄膜樣品(a-Si,IGZO等)
?半導體材料接近絕緣
?導電橡膠
這樣
測量尺寸
尺寸:大300 x 400毫米
厚度:大2毫米
*我們可以自定義您的要求,例如尺寸支持。請聯(lián)系我們。
測量范圍
10E + 9?10E + 15Ω/□
傳單
*單擊下面的按鈕下載該產品的傳單。
技術介紹
Napson電阻測量有兩種類型:接觸型和非接觸型。我們將介紹每種測量方法。
海外網絡
介紹Napson的海外網絡。我們還為在海外工廠的交付和安裝提供全面的支持。
售后服務
我們加強了售后服務,因此即使在接觸式交付后也可以穩(wěn)定地使用我們的產品。
日本napson非接觸式薄層電阻多點測量器
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