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日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃

產(chǎn)品名稱: 日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃
產(chǎn)品型號:
產(chǎn)品特點: 日本thermocera高溫階段“基板加熱"1800℃
加熱，板上/下板，板旋轉(zhuǎn)，RF / DC板偏置
可以根據(jù)設(shè)備配置自由定制，Depo-Up和Down，定制板支架，板旋轉(zhuǎn)/上/下/上/下，傾斜加熱和反向濺射等各種功能都包含在該單元中。
各種加熱絲：NiCr，石墨，CCC，Inconel，鎢，鉬，SiC / PBN / PG涂層，鹵素?zé)艉推渌?0種類型

日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃ 的詳細介紹

日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃

 

加熱，板上/下板，板旋轉(zhuǎn)，RF / DC板偏置

可以根據(jù)設(shè)備配置自由定制，Depo-Up和Down，定制板支架，板旋轉(zhuǎn)/上/下/上/下，傾斜加熱和反向濺射等各種功能都包含在該單元中。
各種加熱絲：NiCr，石墨，CCC，Inconel，鎢，鉬，SiC / PBN / PG涂層，鹵素?zé)艉推渌?0種類型

總覽

基板加熱階段需要加熱階段，例如垂直提升機構(gòu)（基板支架和加熱頭中的一個或兩個），基板旋轉(zhuǎn)，RF / DC基板偏壓（反向飛濺RF / DC清潔）和加熱部分傾斜。它是具有多種功能的“多合一”組件。我們可以滿足對半導(dǎo)體制造設(shè)備和各種真空設(shè)備（氣相沉積設(shè)備，濺射，CVD設(shè)備）的所有要求。

 
   
       
 

 

基板加熱加熱器，晶片加熱，加熱臺，晶片退火2寸熱舞臺_800C

 

   

 

基板加熱加熱器，晶片加熱，加熱臺，晶片退火晶圓托盤_提起

 

 
       
   
 

應(yīng)用/用例

?半導(dǎo)體制造，薄膜的實驗設(shè)備，RF / DC反濺射，PECVD，RIE等
?用熱臺（800℃說明書→修飾以醉高1600℃）更換現(xiàn)有設(shè)備的加熱機構(gòu)
?新工藝評價機器，樣機，等

 
   
 

加熱部位規(guī)格

?NiCr加熱器
?Inconel加熱器
?鎢加熱器
?鉬加熱器
?鹵素?zé)艏訜崞?br />?石墨加熱器
?C / C復(fù)合加熱器
?各種涂層加熱器（PG，PBN，SiC涂層，玻璃碳）

*工作溫度和數(shù)據(jù)均為“陶瓷頂”?請參閱“加熱器”。

 
   
   
 

各部分名稱


熱舞臺結(jié)構(gòu)

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