日本napson非接觸脈沖電壓激勵法超低電阻計

• 節(jié)省空間的設(shè)計主體外殼，便攜式可移動平臺

• 通過PC（軟件）進(jìn)行簡單的測量操作，數(shù)據(jù)存儲和管理

• 測量顯示單元可以根據(jù)應(yīng)用（薄層電阻，電導(dǎo)率，電導(dǎo)率）進(jìn)行更改

  *本產(chǎn)品使用由我公司與千葉大學(xué)聯(lián)合開發(fā)的脈沖電壓激勵方法（篆隸號5386394）。

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

與新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）與
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
與化合物半導(dǎo)體相關(guān)（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*查詢）請給我）

測量尺寸

?A4尺寸（W300 x D210mm）

測量范圍

50μ?1mΩ/平方

• 節(jié)省空間的設(shè)計主體外殼，便攜式可移動平臺

• 通過PC（軟件）進(jìn)行簡單的測量操作，數(shù)據(jù)存儲和管理

• 測量顯示單元可以根據(jù)應(yīng)用（薄層電阻，電導(dǎo)率，電導(dǎo)率）進(jìn)行更改

  *本產(chǎn)品使用由我公司與千葉大學(xué)聯(lián)合開發(fā)的脈沖電壓激勵方法（篆隸號5386394）。

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

與新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）與
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
與化合物半導(dǎo)體相關(guān)（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*查詢）請給我）

測量尺寸

?A4尺寸（W300 x D210mm）

測量范圍

50μ?1mΩ/平方

日本napson非接觸脈沖電壓激勵法超低電阻計