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產(chǎn)品資料
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日本napson2探針法擴(kuò)散電阻測試儀

產(chǎn)品名稱: 日本napson2探針法擴(kuò)散電阻測試儀
產(chǎn)品型號: SRS-2010
產(chǎn)品特點(diǎn): 日本napson2探針法擴(kuò)散電阻測試儀
可以獲得樣品的深度方向上的電阻分布，外延層的厚度，PN結(jié)的深度以及載流子濃度分布。
可以從幾平方毫米的區(qū)域分析幾百微米的圖案區(qū)域。
根據(jù)測得的擴(kuò)展電阻，使用校準(zhǔn)曲線計(jì)算電阻

日本napson2探針法擴(kuò)散電阻測試儀 的詳細(xì)介紹

日本napson2探針法擴(kuò)散電阻測試儀

 

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）

測量尺寸

*請聯(lián)系我們。

測量范圍

1-10E + 9（Ω）[擴(kuò)展電阻]

施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）

測量尺寸

*請聯(lián)系我們。

測量范圍

1-10E + 9（Ω）[擴(kuò)展電阻]

施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）

測量尺寸

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測量范圍

1-10E + 9（Ω）[擴(kuò)展電阻]

施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）

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測量目標(biāo)

與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）

測量尺寸

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測量范圍

1-10E + 9（Ω）[擴(kuò)展電阻]

施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）

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測量目標(biāo)

與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）

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測量范圍

1-10E + 9（Ω）[擴(kuò)展電阻]

施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）

測量尺寸

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測量范圍

1-10E + 9（Ω）[擴(kuò)展電阻]

施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）

日本napson2探針法擴(kuò)散電阻測試儀

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